SI4465ADY-T1-GE3數據表
SI4465ADY-T1-GE3數據表
總頁數: 9
大小: 688.61 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI4465ADY-T1-GE3, SI4465ADY-T1-E3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 9mOhm @ 14A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 85nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） 3W (Ta), 6.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 9mOhm @ 14A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 85nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） 3W (Ta), 6.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
