SI4501BDY-T1-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel, Common Drain FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V, 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A, 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 805pF @ 15V 功率-最大 4.5W, 3.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
