SI4622DY-T1-E3數據表
SI4622DY-T1-E3數據表
總頁數: 14
大小: 224.36 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI4622DY-T1-E3, SI4622DY-T1-GE3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 SkyFET®, TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 16mOhm @ 9.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 60nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2458pF @ 15V 功率-最大 3.3W, 3.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Vishay Siliconix 系列 SkyFET®, TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 16mOhm @ 9.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 60nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2458pF @ 15V 功率-最大 3.3W, 3.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
