SI4688DY-T1-E3數據表






制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8.9A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 11mOhm @ 12A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 38nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1580pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 1.4W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8.9A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 11mOhm @ 12A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 38nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1580pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 1.4W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |