SI4922BDY-T1-GE3數據表
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Vishay Siliconix
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SI4922BDY-T1-GE3, SI4922BDY-T1-E3
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 16mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 62nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2070pF @ 15V 功率-最大 3.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 16mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 62nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2070pF @ 15V 功率-最大 3.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |