SI4942DY-T1-E3數據表
SI4942DY-T1-E3數據表
總頁數: 6
大小: 100.53 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI4942DY-T1-E3, SI4942DY-T1-GE3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs 21mOhm @ 7.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 32nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs 21mOhm @ 7.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 32nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
