SI4965DY-T1-GE3數據表
SI4965DY-T1-GE3數據表
總頁數: 5
大小: 101.48 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI4965DY-T1-GE3, SI4965DY-T1-E3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 21mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 55nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 21mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 55nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
