SI5406DC-T1-GE3數據表





制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 6.9A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 20mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 600mV @ 1.2mA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 20nC @ 4.5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 1.3W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |