SI5511DC-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A, 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.1nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 435pF @ 15V 功率-最大 3.1W, 2.6W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 1206-8 ChipFET™ |
