SI5906DU-T1-GE3數據表










制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 6A Rds On(Max)@ Id,Vgs 31mOhm @ 4.8A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 8.6nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 300pF @ 15V 功率-最大 10.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® ChipFET™ Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® ChipFet Dual |