SI5920DC-T1-GE3數據表
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Vishay Siliconix
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SI5920DC-T1-GE3, SI5920DC-T1-E3
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 8V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4A Rds On(Max)@ Id,Vgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 12nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 680pF @ 4V 功率-最大 3.12W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 1206-8 ChipFET™ |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 8V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4A Rds On(Max)@ Id,Vgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 12nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 680pF @ 4V 功率-最大 3.12W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 1206-8 ChipFET™ |