Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI5922DU-T1-GE3數據表

SI5922DU-T1-GE3數據表
總頁數: 7
大小: 169.54 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SI5922DU-T1-GE3
SI5922DU-T1-GE3數據表 頁面 1
SI5922DU-T1-GE3數據表 頁面 2
SI5922DU-T1-GE3數據表 頁面 3
SI5922DU-T1-GE3數據表 頁面 4
SI5922DU-T1-GE3數據表 頁面 5
SI5922DU-T1-GE3數據表 頁面 6
SI5922DU-T1-GE3數據表 頁面 7
SI5922DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.2mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

765pF @ 15V

功率-最大

10.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® ChipFET™ Dual

供應商設備包裝

PowerPAK® ChipFet Dual