SI6562CDQ-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6.7A, 6.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 850pF @ 10V 功率-最大 1.6W, 1.7W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-TSSOP |
