SI6562DQ-T1-GE3數據表
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Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI6562DQ-T1-GE3, SI6562DQ-T1-E3
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 600mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 25nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-TSSOP |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 600mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 25nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-TSSOP |
