SI7635DP-T1-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.9mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 143nC @ 10V Vgs（最大） ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4595pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 5W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 |
