SI7900AEDN-T1-GE3數據表
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Vishay Siliconix
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SI7900AEDN-T1-GE3, SI7900AEDN-T1-E3
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.5W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.5W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |
