SI7909DN-T1-GE3數據表
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Vishay Siliconix
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SI7909DN-T1-GE3, SI7909DN-T1-E3
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.3A Rds On(Max)@ Id,Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 700µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 24nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.3A Rds On(Max)@ Id,Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 700µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 24nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |