SI7911DN-T1-GE3數據表
SI7911DN-T1-GE3數據表
總頁數: 6
大小: 91.35 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI7911DN-T1-GE3, SI7911DN-T1-E3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs 51mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs 51mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |
