SI7922DN-T1-E3數據表
SI7922DN-T1-E3數據表
總頁數: 12
大小: 540.47 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI7922DN-T1-E3, SI7922DN-T1-GE3
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0001.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0002.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0003.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0004.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0005.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0006.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0007.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0008.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 9](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0009.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 10](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0010.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 11](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0011.webp)
![SI7922DN-T1-E3數據表 頁面 12](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/29/si7922dn-t1-e3-0012.webp)
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1.8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 8nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1.8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 8nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |