SI7942DP-T1-GE3數據表
SI7942DP-T1-GE3數據表
總頁數: 12
大小: 335.58 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI7942DP-T1-GE3, SI7942DP-T1-E3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 Dual |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 Dual |
