SI7956DP-T1-E3數據表
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Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI7956DP-T1-E3, SI7956DP-T1-GE3
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 Dual |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 Dual |
