SI8415DB-T1-E1數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.3A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 37mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 1.47W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 4-Microfoot 包裝/箱 4-XFBGA, CSPBGA |