SI8416DB-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 23mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs（最大） ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1470pF @ 4V FET功能 - 功耗（最大值） 2.77W (Ta), 13W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-microfoot 包裝/箱 6-UFBGA |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 23mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs（最大） ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1470pF @ 4V FET功能 - 功耗（最大值） 2.77W (Ta), 13W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-Micro Foot™ (1.5x1) 包裝/箱 6-UFBGA |
