SI8901EDB-T2-E1數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) Common Drain FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-MICRO FOOT®CSP 供應商設備包裝 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
