SI9934BDY-T1-GE3數據表
SI9934BDY-T1-GE3數據表
總頁數: 6
大小: 91.07 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI9934BDY-T1-GE3, SI9934BDY-T1-E3
![SI9934BDY-T1-GE3數據表 頁面 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si9934bdy-t1-ge3-0001.webp)
![SI9934BDY-T1-GE3數據表 頁面 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si9934bdy-t1-ge3-0002.webp)
![SI9934BDY-T1-GE3數據表 頁面 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si9934bdy-t1-ge3-0003.webp)
![SI9934BDY-T1-GE3數據表 頁面 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si9934bdy-t1-ge3-0004.webp)
![SI9934BDY-T1-GE3數據表 頁面 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si9934bdy-t1-ge3-0005.webp)
![SI9934BDY-T1-GE3數據表 頁面 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si9934bdy-t1-ge3-0006.webp)
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 35mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 20nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 35mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 20nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |