SIA519EDJ-T1-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 350pF @ 10V 功率-最大 7.8W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SC-70-6 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
