SIA906EDJ-T1-GE3數據表









制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.5A Rds On(Max)@ Id,Vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 12nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 350pF @ 10V 功率-最大 7.8W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SC-70-6 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SC-70-6 Dual |