SIDR626DP-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen IV FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 42.8A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 102nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5130pF @ 30V FET功能 - 功耗（最大值） 6.25W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8DC 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 |
