SIHB065N60E-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 E FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 65mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 74nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2700pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 250W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
