SIHG61N65EF-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 E FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 47mOhm @ 30.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 371nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7407pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 520W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247AC 包裝/箱 TO-247-3 |
