Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SIRA88BDP-T1-GE3數據表

SIRA88BDP-T1-GE3數據表
總頁數: 9
大小: 227.9 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SIRA88BDP-T1-GE3
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 1
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 2
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 3
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 4
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 5
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 6
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 7
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 8
SIRA88BDP-T1-GE3數據表 頁面 9
SIRA88BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.83mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 17W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8