SIRC04DP-T1-GE3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen IV FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 60A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.45mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 56nC @ 10V Vgs(最大) +20V, -16V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2850pF @ 15V FET功能 Schottky Diode (Body) 功耗(最大值) 50W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 |