SISS73DN-T1-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 125mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 22nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 719pF @ 75V FET功能 - 功耗（最大值） 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8S 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8S |
