SIZ900DT-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 24A, 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1830pF @ 15V 功率-最大 48W, 100W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-PowerPair™ 供應商設備包裝 6-PowerPair™ |
