SIZ998DT-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V 功率-最大 20.2W, 32.9W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerWDFN 供應商設備包裝 8-PowerPair® |
