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SIZF916DT-T1-GE3數據表

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Vishay Siliconix
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SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

功率-最大

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerWDFN

供應商設備包裝

8-PowerPair® (6x5)