SPZT651T1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 75 @ 1A, 2V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 75MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 (TO-261) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 75 @ 1A, 2V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 75MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |
