SQD97N06-6M3L_GE3數據表
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Vishay Siliconix
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SQD97N06-6M3L_GE3, SQR97N06-6M3L_GE3
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制造商 Vishay Siliconix 系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 97A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 125nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6060pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 136W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252AA 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 * FET類型 - 技術 - 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252 (DPAK) 包裝/箱 TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
