SQP50P03-07_GE3數據表








制造商 Vishay Siliconix 系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 7mOhm @ 30A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 155nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5380pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 150W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |