SSM3K302T(TE85L數據表
SSM3K302T(TE85L數據表
總頁數: 6
大小: 175.57 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了1零件號:
SSM3K302T(TE85L,F)
|
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 71mOhm @ 2A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4.3nC @ 4V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 270pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 700mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TSM 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
