SSM6K513NU數據表
|
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIX-H FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.9mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.5nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1130pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 1.25W (Ta) 工作溫度 150°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-UDFNB (2x2) 包裝/箱 6-WDFN Exposed Pad |
