STB36N60M6數據表
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ M6 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 30A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 99mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4.75V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 44.3nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1960pF @ 100V FET功能 - 功耗(最大值) 208W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |