STH270N8F7-2數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 193nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 13600pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 315W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 H²PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
制造商 STMicroelectronics 系列 DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.5mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 193nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 13600pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 315W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 STMicroelectronics 系列 DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 193nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 13600pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 315W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 H²PAK 包裝/箱 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
