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STI45N10F7數據表

STI45N10F7數據表
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STMicroelectronics
此數據表涵蓋了3零件號: STI45N10F7, STP45N10F7, STD45N10F7
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STI45N10F7

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STP45N10F7

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220

包裝/箱

TO-220-3

STD45N10F7

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63