STL6NM60N數據表
|
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 920mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 420pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 70W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerFLAT™ (5x5) 包裝/箱 8-PowerVDFN |
