STLD200N4F6AG數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.5mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 172nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 10700pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 158W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerFlat™ (5x6) Dual Side 包裝/箱 8-PowerWDFN |
