STN1HNK60數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 SuperMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 156pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.3W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-223 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
制造商 STMicroelectronics 系列 SuperMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 156pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 30W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 STMicroelectronics 系列 SuperMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 156pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 30W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 STMicroelectronics 系列 SuperMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 156pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-92-3 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
