STP30NM30N數據表
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 300V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 30A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 90mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 75nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2500pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 160W (Tc) 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |