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STPSC6H065DI數據表

STPSC6H065DI數據表
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STMicroelectronics
此數據表涵蓋了4零件號: STPSC6H065DI, STPSC6H065D, STPSC6H065G-TR, STPSC6H065B-TR
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STPSC6H065DI

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Insulated, TO-220AC

供應商設備包裝

TO-220AC ins

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

STPSC6H065D

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

STPSC6H065G-TR

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D²PAK

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

STPSC6H065B-TR

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C