STR1P2UH7數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 STripFET™ H7 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 100mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4.8nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 510pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 350mW (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
